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三菱模塊CM400DU-5F
CM400DU-5F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-5F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱模塊CM300DU-12NF
CM300DU-12NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DU-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱模塊CM300DU-12H
CM300DU-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱模塊CM300DY-12G
北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-12G IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;
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三菱模塊CM300DY-12E
北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;
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三菱模塊CM300DY-12NF
北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;
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