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產(chǎn)品展示
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三菱IGBT模塊CM100E3U-12H

三菱IGBT模塊CM100E3U-12H

型    號: CM100E3U-12H
報    價: 888
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

詳細資料:

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM100E3U-12H 

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM100E3U-12H 產(chǎn)品特點:

  • Low Drive Power
  • Low VCE(sat)
  • Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode
  • High Frequency Operation
  • Isolated Baseplate for Easy Heat Sinking

三菱推出開關(guān)頻率20~ 60KHz的NFH及NFM系列IGBT,

應(yīng)用于逆變焊機及醫(yī)療儀器 特征:

采用快速關(guān)斷CSTBT硅片,目標開關(guān)頻率20~ 60KHz

低電感封裝技術(shù)

耐功率循環(huán)能力強(High Power Cycle)

寬范圍的額定電流等級: 100A~400A/600V,100A~ 600A / 1200V

三菱IGBT模塊目標應(yīng)用

● 醫(yī)療儀器,如 CT 和 MRI

● 逆變焊機

● 電信用UPS

 

CM100E3U-12H 產(chǎn)品參數(shù):

VCES=600V   IC=100A

CM50E3Y-12E

CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E

CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E

CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E

CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E

CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E

CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H

CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12F

CM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F

CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F

CM110YE4-12F
CM150YE4-12F

CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F 


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